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英飞凌与罗姆携手推进SiC功率器件封装兼容性，为客户带来更高灵活度
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2025-09-26
罗姆与英飞凌携手推进SiC功率器件封装兼容性
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2025-09-25
175℃极限突破！SiC JFET 让固态断路器（SSCB）无惧高温工况
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2025-09-24
SiC推动电动汽车向800V架构转型，细数安森美的核心SiC方案
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2025-09-24
韩国在釜山启动首个8英寸碳化硅工厂，年产量预计达3万片晶圆
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2025-09-18
SiC和GaN技术重塑电力电子行业前景
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2025-09-15
iDEAL推出具有行业领先性价比的200 V SuperQ™ MOSFET系列
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2025-09-05
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2025-09-05
iDEAL 半导体宣布推出基于 SuperQ™的 200V MOSFET 系列，具有行业领先的成本×性能
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2025-09-04
东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET
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2025-08-28
东芝与天岳先进达成SiC功率半导体衬底合作协议
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2025-08-26
SiC MOSFET 界面陷阱检测升级：Force-I QSCV 方法详解
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2025-08-22
1200V全垂直硅基氮化镓MOSFET
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2025-08-13
英飞凌推出采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2
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2025-08-05
iDEAL与电力系统专家Richardson Electronics, Ltd.签署SuperQ MOSFET技术合作伙伴协议
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2025-08-01
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